Fabrication : Wet Etching - (矽,GaAs)晶體切面圖

Note: 讀濕式蝕刻時提到Etch Rate 與晶體表面Orientation 有關, 亦即不同面向有不同的蝕刻率.

底下兩張是比較好表示的圖, 覺得<111>平面有特別顯示54.7度角比較不容易跟<110>平面搞混

(a) Si的 Crystalline Structure. 

Surface Atom Density:

{111} > {100} > {110}

Etching rate:

                                                               R(100) ~ 100 x R(111)

(b) GaAs 的晶體表面圖. Group V的蝕刻率較大, 因為提供了許多電洞可以氧化. V族的<111>平面稱為B Face, III族則稱為A Face.