Fabrication : Dry Etching

Why Do we Need Dry Etching

(1) 更小的feature size

(2) 非等向性的蝕刻

下圖比較(Comparison)各種Dry Etching Techniques 所需要的條件(Conditions) 以及環境(Environmental)

原文轉自:
http://www.mrsec.harvard.edu/education/ap298r2004/Erli%20chen%20Fabrication%20III%20-%20Etching.pdf

Fabrication : Wet Etching - (矽,GaAs)晶體切面圖

Note: 讀濕式蝕刻時提到Etch Rate 與晶體表面Orientation 有關, 亦即不同面向有不同的蝕刻率.

底下兩張是比較好表示的圖, 覺得<111>平面有特別顯示54.7度角比較不容易跟<110>平面搞混

(a) Si的 Crystalline Structure. 

Surface Atom Density:

{111} > {100} > {110}

Etching rate:

                                                               R(100) ~ 100 x R(111)

(b) GaAs 的晶體表面圖. Group V的蝕刻率較大, 因為提供了許多電洞可以氧化. V族的<111>平面稱為B Face, III族則稱為A Face.

Latex: 讓圖形並排

Latex語法: 圖形並排




\begin{figure}[!ht]
\centering
\subfigure[subfigure 1名稱] {
\label{subfigure 1標籤}
\includegraphics{圖檔位置}
}
\hspace{1cm}
\subfigure[subfigure 2名稱] {
\label{subfigure 2標籤}
\includegraphics{圖檔位置}
}
\caption{外圍標籤}
\label{整個圖形標籤}
\end{figure}