Note: 讀濕式蝕刻時提到Etch Rate 與晶體表面Orientation 有關, 亦即不同面向有不同的蝕刻率.
底下兩張是比較好表示的圖, 覺得<111>平面有特別顯示54.7度角比較不容易跟<110>平面搞混
(a) Si的 Crystalline Structure.
Surface Atom Density:
{111} > {100} > {110}
Etching rate:
R(100) ~ 100 x R(111)
(b) GaAs 的晶體表面圖. Group V的蝕刻率較大, 因為提供了許多電洞可以氧化. V族的<111>平面稱為B Face, III族則稱為A Face.
No comments:
Post a Comment