Fabrication : Etching - Overetch is useful

 一般來說Overetch 可能會侵蝕到原本不想蝕刻的地方, 導致Pattern distortion. 不過有時候倒是能夠利用Overetch 底下的面積, 來縮減Pattern間的間隙. This is called controlled overetch.  以下按例附圖XD

Fabrication: Wet-Etching - Common Etchant

Fabrication : Comparison of Wet and Dry Etching

Fabrication : Lithography-Pattern Generation (Fig)

產生Pattern的方法有兩種, 一種是靠蝕刻, 比較直覺, 另外一種則是靠Lift Off的技術, 用圖示意專有名詞比較容易了解, 以下附上圖. (The right one is a bit wrong,  the film was gone in second diagram)

通常在蝕刻時, 因為蝕刻的方式, 化學液材料而有(不)等向性的問題. 造成所謂的過度蝕刻, 或是蝕刻不足, 以下兩張圖用以示意這些名詞定義.

Fabrication : Wet Etching - (矽,GaAs)晶體切面圖

Note: 讀濕式蝕刻時提到Etch Rate 與晶體表面Orientation 有關, 亦即不同面向有不同的蝕刻率.

底下兩張是比較好表示的圖, 覺得<111>平面有特別顯示54.7度角比較不容易跟<110>平面搞混

(a) Si的 Crystalline Structure. 

Surface Atom Density:

{111} > {100} > {110}

Etching rate:

                                                               R(100) ~ 100 x R(111)

(b) GaAs 的晶體表面圖. Group V的蝕刻率較大, 因為提供了許多電洞可以氧化. V族的<111>平面稱為B Face, III族則稱為A Face.